SSD революция в 400+ слоя: Новите V-NAND чипове на Samsung поемат към фабриките
Samsung е напът да предизвика вълнение в технологичния свят с 10-то поколение V-NAND памет, която ще се отличава със своите 400 слоя и безпрецедентно ниво на производителност. Създадена, за да бъде влагана в бъдещите PCIe 5.0 и PCIe 6.0 SSD дискове, новата технология се очаква да раздвижи пазара на твърдотелни носители.
Бъдещето на SSD: Над 400 слоя и невероятни скорости
Новата V-NAND технология на Samsung идва с върхови характеристики, включително интерфейс със скорост от 5.6 GT/s – почти 56% по-бърз от текущите 3.6 GT/s скорости при YMTC Xtacking архитектурата. Тази скорост се равнява на впечатляващите 700 MB/s на чип, което позволява максимално използване на възможностите на най-бързите PCIe интерфейси. За PCIe 5.0 SSD са необходими само 20 от тези чипове, за да достигнат пределите на производителността, а от бъдещите PCIe 6.0 устройства очакваме да извлекат още повече от тази мощ.
1TB TLC NAND: Висок капацитет и плътност
Новото поколение V-NAND запазва доказаната архитектура Tri-Level Cell (TLC), като предоставя капацитет от 128GB на кристал. С плътност на съхранение от 28 Gb/mm², новата NAND памет се конкурира директно с флагманските чипове на Samsung 3D QLC V-NAND, които държат титлата за най-плътна памет със своите 28.5 Gb/mm².
Подобно ниво на плътност отваря възможности за достигане на по-висок капацитет в компактен формат. Например, пакет с 16 кристала може да осигури 2TB място за съхранение, което позволява производството на едностранни SSD дискове с капацитет до 8TB или до 16TB в двустранните M.2 устройства. Въпреки че през последните години инженерният отдел на Samsung се придържа стриктно към едностранно разположение на чиповете, този пробив може да проправи път към нови продуктови линии с висока производителност и впечатляващи обеми на съхранение.
Максимално използване на PCIe: Поглед към бъдещето
Най-впечатляващата характеристика на новия NAND е скоростта на интерфейса. При 5.6 GT/s, тази памет създава потенциал за разработка на SSD дискове, чиято производителност надминава всичко на пазара в момента. За сравнение, тези чипове могат да използват максимално PCIe 4.0 x4 интерфейса с едва 10 NAND чипа, докато PCIe 5.0 x4 достига максимална пропускателна способност в изпълнение с 20 NAND чипа. С поглед към PCIe 6.0 x4, следващото поколение ще поддържа до 32 кристала в два NAND пакета, гарантирайки безапелационна дискова производителност в бъдещите компютърни системи.
Кога ще се появи на пазара?
Samsung планира да представи своето 10-то поколение V-NAND памет на Международната конференция за твърдотелни схеми (ISSCC) в началото на 2025 година. Въпреки че се очаква масовото производство да започне още същата година, все още не е ясно кога новите авангардни чипове ще намерят приложение в потребителските SSD дискове. Исторически погледнато, иновациите на Samsung в областта на NAND намират бързо приложение в широка гама от продукти – от USB флашки и карти памет до флагмански смартфони и SSD дискове за корпоративния сегмент.
Какво означава това за потребителите?
За технологичните ентусиасти и професионалните потребители 10-то поколение V-NAND представлява огромен скок в скоростта, капацитета и ефективността. Тази еволюционна промяна ще доведе до наличие на SSD дискове с по-голям капацитет, по-добра термична производителност и по-високи скорости на четене и запис – всичко това в компактен и надежден формат. Независимо дали сте геймър, създател на съдържание или професионалист с нужда от обработка на големи обеми данни, бъдещето на съхранението изглежда по-обещаващо от всякога.
С новата V-NAND памет Samsung отново утвърждава позицията си на лидер в технологиите за съхранение. С над 400 слоя и обещание за влагане в следващото поколение PCIe SSD дискове, тази технология ще промени представите ни бързина и ефективност. Следете новостите с приближаването на ISSCC 2025 16-20 февруари 2025 г., когато Samsung ще разкрие всички детайли за ново поколение V-NAND.
